一种IGBT版图
文献类型：专利
| 作者 | 田晓丽; 赵佳; 胡爱斌; 朱阳军; 左小珍 |
| 发表日期 | 2012-11-30 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 ; 江苏物联网研究发展中心 ; 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种IGBT版图，包括元胞区、位于所述元胞区周围的终端区、源极压焊点和多个栅极压焊点，所述栅极压焊点的数量与所述元胞区的顶点数相同，所述源极压焊点位于所述元胞区的中间位置，所述栅极压焊点均匀分布在所述源极压焊点的周围，且位于所述元胞区边缘区域，所述源极压焊点的面积占元胞区面积的比例范围为60%~80%，包括端点值。本实用新型提供的IGBT版图，多个栅极压焊点均匀分布在源极压焊点的周围，保证元胞区所有区域都能在相同的条件下开启，省略了gatebus，使gatebus对源极压焊点的限制消失，从而允许增加源极压焊点的面积，而大面积的源极压焊点可以缓解因电流集中效应产生的热集中现象。 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15876]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田晓丽,赵佳,胡爱斌,等. 一种IGBT版图. 2012-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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