一种适用于dummy-trench功率器件的版图
文献类型：专利
| 作者 | 胡爱斌; 褚为利; 朱阳军; 田晓丽; 喻巧群; 赵佳 |
| 发表日期 | 2012-12-18 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 ; 江苏物联网研究发展中心 ; 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 英文摘要 | 本实用新型涉及版图技术领域，公开了一种适用于dummy-trench功率器件的版图包括：dummy栅极结构刻蚀窗口、trench栅极结构刻蚀窗口、源极金属刻蚀窗口、dummy栅极金属刻蚀窗口、trench栅极金属刻蚀窗口、源极金属接线板刻蚀窗口、dummy栅极接线板刻蚀窗口及trench栅极接线板刻蚀窗口。本实用新型在保证器件短路耐量特性和耐压特性的基础上，通过降低器件在开关过程中的浪涌电压，降低了器件的开关损害，从而提高了器件工作的安全性。本实用新型结构简单、效果显著、实用性强。 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15879]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡爱斌,褚为利,朱阳军,等. 一种适用于dummy-trench功率器件的版图. 2012-12-18. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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