一种改进SOI结构抗辐照性能的方法
文献类型：专利
| 作者 | 叶甜春 ; 吕荫学; 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生
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| 发表日期 | 2015-06-24 |
| 专利号 | CN201110418276.8 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法，该方法包括以下步骤：对所述SOI结构进行质子、中子和γ射线等高能粒子注入，并执行退火操作。本发明通过利用高能粒子注入在埋氧层中引入位移损伤，以此来提高SOI结构抗辐照的性能。 |
| 公开日期 | 2012-06-27 |
| 申请日期 | 2011-12-14 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16034]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶甜春,吕荫学,毕津顺,等. 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法. CN201110418276.8. 2015-06-24. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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