Failure Analysis of the VDMOS Device with VSD and RDS (on) Exceeded Limit Based on Reliability Physics
文献类型：会议论文
| 作者 | Li Q(李庆) ; Gao B(高博); Deng HT(邓海涛); Wang LX(王立新); Luo JJ(罗家俊); Han ZS(韩郑生)
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| 出版日期 | 2016-10-21 |
| 文献子类 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16324]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li Q,Gao B,Deng HT,et al. Failure Analysis of the VDMOS Device with VSD and RDS (on) Exceeded Limit Based on Reliability Physics[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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