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Analysis and optimization of Tunneling-FET based on SOI

文献类型:会议论文

作者Li Y(李莹); Han ZS(韩郑生); Luo JJ(罗家俊); Bu JH(卜建辉)
出版日期2016-10-28
文献子类会议论文
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/16327]  
专题微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Li Y,Han ZS,Luo JJ,et al. Analysis and optimization of Tunneling-FET based on SOI[C]. 见:.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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