Comparison Study of Bulk and SOI CMOS Technologies based Rad-hard ADCs in Space
文献类型：会议论文
| 作者 | Han ZS(韩郑生) ; Zhang G(张刚); Gao JT(高见头); Zhao FZ(赵发展); Li B(李博); Liu HN(刘海南); Ceng CB(曾传滨); Liu T(刘涛); Qi FT(岂飞涛)
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| 出版日期 | 2016-06-18 |
| 文献子类 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16329]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Han ZS,Zhang G,Gao JT,et al. Comparison Study of Bulk and SOI CMOS Technologies based Rad-hard ADCs in Space[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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