Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM
文献类型：会议论文
| 作者 | Zhang HY(张宏远); Wang LF(王林飞) ; Liu HN(刘海南); Chen LK(陈丽坤); Zhou YL(周月琳); Gao JT(高见头); Zhao FZ(赵发展); Yu F(于芳); Han ZS(韩郑生)
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| 出版日期 | 2016-10-28 |
| 文献子类 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16330]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang HY,Wang LF,Liu HN,et al. Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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