栅长0.1微米PD-SOI槽栅CMOS器件特性
文献类型：学位论文
| 作者 | 邵红旭 |
| 答辩日期 | 2005-06 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 孙宝刚 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17557]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邵红旭. 栅长0.1微米PD-SOI槽栅CMOS器件特性[D]. 中国科学院研究生院. 2005. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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