一种SRAM灵敏放大器电路设计
文献类型:专利
作者 | 李欣欣; 郝乐![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2017-11-24 |
专利号 | CN201510202580.7 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种改进型的交叉耦合型灵敏放大器电路,该电路包括以下结构:两个PMOS管100,101,五个NMOS管102,103,104,105和106。其中100和101的源端和衬底接电源,100栅端接输出信号DB,漏端接输出信号DA,101栅端接DA,漏端接DB。102和103的漏端接DA,102栅端接DB,103栅端接输入信号BLB,104和105漏端接DB,104栅端接BL,105栅端接DA,102,103,104,105源端接106漏端,106栅端接控制信号SEN,106源端接地,102,103,105,105,106衬底均接地。本发明通过增加两个NMOS管,进一步增加了正反馈能力,有利于提高电荷泄放速度,从而加快了灵敏放大器的读出速度。 |
公开日期 | 2015-07-22 |
申请日期 | 2015-04-24 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17733] ![]() |
专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李欣欣,郝乐,刘海南,等. 一种SRAM灵敏放大器电路设计. CN201510202580.7. 2017-11-24. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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