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一种SRAM灵敏放大器电路设计

文献类型:专利

作者李欣欣; 郝乐; 刘海南; 韩郑生; 罗家俊; 宿晓慧
发表日期2017-11-24
专利号CN201510202580.7
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供了一种改进型的交叉耦合型灵敏放大器电路,该电路包括以下结构:两个PMOS管100,101,五个NMOS管102,103,104,105和106。其中100和101的源端和衬底接电源,100栅端接输出信号DB,漏端接输出信号DA,101栅端接DA,漏端接DB。102和103的漏端接DA,102栅端接DB,103栅端接输入信号BLB,104和105漏端接DB,104栅端接BL,105栅端接DA,102,103,104,105源端接106漏端,106栅端接控制信号SEN,106源端接地,102,103,105,105,106衬底均接地。本发明通过增加两个NMOS管,进一步增加了正反馈能力,有利于提高电荷泄放速度,从而加快了灵敏放大器的读出速度。

公开日期2015-07-22
申请日期2015-04-24
语种中文
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/17733]  
专题微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李欣欣,郝乐,刘海南,等. 一种SRAM灵敏放大器电路设计. CN201510202580.7. 2017-11-24.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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