二极管及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 罗家俊; 吕荫学 |
| 发表日期 | 2011 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明实施例公开了一种二极管及其制作方法，该方法包括：基底，所述基底包括阱区，阱区为所述二极管的第一电极区；位于阱区表面内的第二电极区和体引出区，体引出区为第一电极区的引出区，所述第一电极区和第二电极区的极性相反；位于阱区表面上的栅介质层以及位于栅介质层表面上的栅区，栅介质层位于第二电极区和体引出区之间，以隔离第二电极区和体引出区。本发明采用栅介质层代替现有技术中的场氧隔离区，同样起到了隔离多个器件的作用，由于栅介质层的厚度远远小于传统CMOS工艺中的二极管周边的场氧隔离区的厚度，使该二极管抗总剂量辐照效应的能力远远高于传统CMOS工艺中的二极管抗总剂量辐照效应的能力。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17739]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗家俊,吕荫学. 二极管及其制作方法. 2011-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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