Experimental and Simulation Studies of Single Event Transient in Partially-depleted SOI MOSFET
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yan WW(闫薇薇) ; Gao LC(高林春); Li XJ(李晓静); Zhao FZ(赵发展); Ceng CB(曾传滨); Luo JJ(罗家俊); Han ZS(韩郑生)
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| 刊名 | Chinese Physics B
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| 出版日期 | 2017-08-11 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18028]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yan WW,Gao LC,Li XJ,et al. Experimental and Simulation Studies of Single Event Transient in Partially-depleted SOI MOSFET[J]. Chinese Physics B,2017. |
| APA | Yan WW.,Gao LC.,Li XJ.,Zhao FZ.,Ceng CB.,...&Han ZS.(2017).Experimental and Simulation Studies of Single Event Transient in Partially-depleted SOI MOSFET.Chinese Physics B. |
| MLA | Yan WW,et al."Experimental and Simulation Studies of Single Event Transient in Partially-depleted SOI MOSFET".Chinese Physics B (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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