Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li B(李博) ; Luo JJ(罗家俊); Lu J(陆江); Yu QQ(喻巧群); Liu HN(刘海南); Han ZS(韩郑生); Wang LX(王立新)
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| 刊名 | Chin. Phys. B
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| 出版日期 | 2017-03-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18030]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 通讯作者 | Luo JJ(罗家俊) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li B,Luo JJ,Lu J,et al. Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance[J]. Chin. Phys. B,2017. |
| APA | Li B.,Luo JJ.,Lu J.,Yu QQ.,Liu HN.,...&Wang LX.(2017).Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance.Chin. Phys. B. |
| MLA | Li B,et al."Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance".Chin. Phys. B (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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