The total ionizing dose response of a DSOI 4Kb SRAM
文献类型：期刊论文
| 作者 | Luo JJ(罗家俊) ; Han ZS(韩郑生); Li BH(李彬鸿); Gao JT(高见头); Kuang Y(匡勇); Li J(李晶)
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| 刊名 | Microelectronics Reliability
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| 出版日期 | 2017-07-26 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18035]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Luo JJ,Han ZS,Li BH,et al. The total ionizing dose response of a DSOI 4Kb SRAM[J]. Microelectronics Reliability,2017. |
| APA | Luo JJ,Han ZS,Li BH,Gao JT,Kuang Y,&Li J.(2017).The total ionizing dose response of a DSOI 4Kb SRAM.Microelectronics Reliability. |
| MLA | Luo JJ,et al."The total ionizing dose response of a DSOI 4Kb SRAM".Microelectronics Reliability (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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