Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs
文献类型：会议论文
| 作者 | Zheng ZS(郑中山) ; Huang YB(黄云波); Yang L(杨玲); Han ZS(韩郑生); Luo JJ(罗家俊); Yin HX(殷华湘); Zhu HP(朱慧平); Zhang QZ(张青竹); Li BH(李彬鸿); Li B(李博)
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| 出版日期 | 2017-10-02 |
| 文献子类 | 会议期刊 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18253]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zheng ZS,Huang YB,Yang L,et al. Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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