Impact of DSOI back-gate biasing on circuit conducted emission
文献类型：会议论文
| 作者 | Han ZS(韩郑生) ; Gao JT(高见头); Li B(李博); Luo JJ(罗家俊); Li BH(李彬鸿)
|
| 出版日期 | 2017-08-03 |
| 文献子类 | 会议期刊 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18254]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Han ZS,Gao JT,Li B,et al. Impact of DSOI back-gate biasing on circuit conducted emission[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。