一种多通道SRAM单粒子测试方法及装置
文献类型:专利
作者 | 刘倩茹; 赵发展![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2018-07-13 |
专利号 | CN201410730074.0 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种多通道SRAM单粒子测试装置,包括:测试板和主控板;其中,测试板用于固定、连接待测芯片;主控板用于控制辐照测试系统,并读取、记录待测芯片中的数据。该装置能够同时实现对多个SRAM器件单粒子效应进行测试,获得单粒子效应特征参数,提高对被测器件抗单粒子效应能力预估的准确性;还可实时检测被测器件工作电流的大小,防止闩锁效应的发生。 |
公开日期 | 2015-04-08 |
申请日期 | 2014-12-04 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18588] ![]() |
专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘倩茹,赵发展,刘刚,等. 一种多通道SRAM单粒子测试方法及装置. CN201410730074.0. 2018-07-13. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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