中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
一种多通道SRAM单粒子测试方法及装置

文献类型:专利

作者刘倩茹; 赵发展; 刘刚; 罗家俊; 韩郑生
发表日期2018-07-13
专利号CN201410730074.0
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供了一种多通道SRAM单粒子测试装置,包括:测试板和主控板;其中,测试板用于固定、连接待测芯片;主控板用于控制辐照测试系统,并读取、记录待测芯片中的数据。该装置能够同时实现对多个SRAM器件单粒子效应进行测试,获得单粒子效应特征参数,提高对被测器件抗单粒子效应能力预估的准确性;还可实时检测被测器件工作电流的大小,防止闩锁效应的发生。

公开日期2015-04-08
申请日期2014-12-04
语种中文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18588]  
专题微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘倩茹,赵发展,刘刚,等. 一种多通道SRAM单粒子测试方法及装置. CN201410730074.0. 2018-07-13.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。