本申请实施例提供的一种霍尔基片结构及霍尔传感器，涉及半导体器件技术领域，所述锁存器包括：N阱；电极VHA，所述电极VHA设置在所述N阱上；电极VHB，所述电极VHB设置在所述N阱上；氧化层填充区，所述氧化层填充区设置在所述N阱上；其中，所述氧化层填充区的两侧分别为所述电极VHA和所述电极VHB。解决了现有技术使用增加P型掺杂提高灵敏度时，精度及工艺控制能力有限的问题，达到了保证对N阱区的挤压效果，形成的N阱尺寸精度高，易于控制的技术效果。