本申请提供的一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件，涉及半导体器件领域，包括：N+源极，Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+源极的下方；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell区域的下方；其中，所述N+源极、Pwell区域、N漂移区构成寄生NPN晶体管结构；其中，所述器件还包括：刻槽结构，所述刻槽结构设置在所述N+源极的下方，且在所述刻槽结构的下方区域进行横向扩展，所述横向扩展使得当粒子碰撞产生的空穴流向N+源极时，所述空穴被所述横向扩展收集。达到了在空穴流动路径上提前抽取空穴载流子，大幅度减少在寄生电阻区域流过的空穴电流，从而有效的压制了寄生晶体管的开启，增强了器件抗单粒子能力的可靠性的技术效果。