本发明提供了一种SOI MOSFET器件的建模方法，包括：a)建立总体模型，该总体模型包括所述初级器件模型、模拟源体PN结的第一模型和模拟漏体PN结的第二模型；其中，所述初级器件模型中的器件为模拟源漏注入到底的SOI MOSFET；b)对初级器件模型进行参数提取；c)对第一、第二模型分别进行参数提取。本发明提供的建模方法考虑源漏注入不到底的SOI MOSFET器件中源体结以及漏体结电容对于器件性能的影响，提高了模型的精确度，能够有效的运用于对器件的仿真设计。