本发明提供了一种终端与有源区形成弱电连接的结构，包括衬底结构、场限环结构、钝化层、基区结构、发射区结构、多晶硅栅结构、覆盖有源区的金属电极、通过氧化层开孔与主结和第一级场限环连接的金属电极、及与多晶硅栅结构连接的栅极电极，本发明提供的一种终端与有源区形成弱电连接的结构，是在传统终端结构的形成终端钝化层的基础上，在终端主结和第一级场限环之间刻蚀钝化层形成金属接触窗口，使得该位置与有源区的金属形成电学连接。本发明提供的一种终端与有源区形成弱电连接的结构，可以防止高压器件在动态过程中发生闩锁，同时可以保证器件在有源区和终端区的可靠性，降低器件在HTRB过程中的漏电流。