Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang QZ(张青竹) ; Yin HX(殷华湘); Han ZS(韩郑生); Luo JJ(罗家俊); Li B(李博); Huang Y(黄杨); Li BH(李彬鸿)
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| 刊名 | Microelectronics Reliability
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| 出版日期 | 2018-09-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18905]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang QZ,Yin HX,Han ZS,et al. Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment[J]. Microelectronics Reliability,2018. |
| APA | Zhang QZ.,Yin HX.,Han ZS.,Luo JJ.,Li B.,...&Li BH.(2018).Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment.Microelectronics Reliability. |
| MLA | Zhang QZ,et al."Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment".Microelectronics Reliability (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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