An effective method to compensate total ionizing dose-induced degradation on double-SOI structure
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zheng ZS(郑中山) ; Luo JJ(罗家俊); Li BH(李彬鸿); Han ZS(韩郑生); Zhao X(赵星); Huang Y(黄杨); Li B(李博); Zhang G(张刚); Gao JT(高见头)
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| 刊名 | IEEE Transactions on Nuclear Science
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| 出版日期 | 2018-08-05 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18906]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zheng ZS,Luo JJ,Li BH,et al. An effective method to compensate total ionizing dose-induced degradation on double-SOI structure[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science,2018. |
| APA | Zheng ZS.,Luo JJ.,Li BH.,Han ZS.,Zhao X.,...&Gao JT.(2018).An effective method to compensate total ionizing dose-induced degradation on double-SOI structure.IEEE Transactions on Nuclear Science. |
| MLA | Zheng ZS,et al."An effective method to compensate total ionizing dose-induced degradation on double-SOI structure".IEEE Transactions on Nuclear Science (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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