Multi-Angle Analysis of 30 MeV Silicon Ion Beam Irradiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light Emitting Diodes
文献类型：期刊论文
| 作者 | Han ZS(韩郑生) ; Zheng ZS(郑中山); Li BH(李彬鸿); Cui Y(崔岩); Li B(李博); Wang L(王磊); Luo JJ(罗家俊)
|
| 刊名 | IEEE Transactions on Nuclear Science
 |
| 出版日期 | 2018-10-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18907]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Han ZS,Zheng ZS,Li BH,et al. Multi-Angle Analysis of 30 MeV Silicon Ion Beam Irradiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light Emitting Diodes[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science,2018. |
| APA | Han ZS.,Zheng ZS.,Li BH.,Cui Y.,Li B.,...&Luo JJ.(2018).Multi-Angle Analysis of 30 MeV Silicon Ion Beam Irradiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light Emitting Diodes.IEEE Transactions on Nuclear Science. |
| MLA | Han ZS,et al."Multi-Angle Analysis of 30 MeV Silicon Ion Beam Irradiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light Emitting Diodes".IEEE Transactions on Nuclear Science (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。