Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler–Nordheim tunneling stress using the DCIV method
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang RH(王瑞恒); Ceng CB(曾传滨) ; Li XJ(李晓静); Han ZS(韩郑生); Luo JJ(罗家俊); Yan WW(闫薇薇); Gao LC(高林春)
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| 刊名 | Applied Physics A
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| 出版日期 | 2018-08-10 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18909]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang RH,Ceng CB,Li XJ,et al. Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler–Nordheim tunneling stress using the DCIV method[J]. Applied Physics A,2018. |
| APA | 王瑞恒.,曾传滨.,李晓静.,韩郑生.,罗家俊.,...&高林春.(2018).Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler–Nordheim tunneling stress using the DCIV method.Applied Physics A. |
| MLA | 王瑞恒,et al."Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler–Nordheim tunneling stress using the DCIV method".Applied Physics A (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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