Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zheng ZS(郑中山) ; Huang YB(黄云波); Li B(李博); Luo JJ(罗家俊); Han ZS(韩郑生); Yin HX(殷华湘); Bu JH(卜建辉); Zhu HP(朱慧平); Li BH(李彬鸿); Zhang QZ(张青竹)
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| 刊名 | Microelectronics Reliability
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| 出版日期 | 2018-09-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18912]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zheng ZS,Huang YB,Li B,et al. Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs[J]. Microelectronics Reliability,2018. |
| APA | Zheng ZS.,Huang YB.,Li B.,Luo JJ.,Han ZS.,...&Zhang QZ.(2018).Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs.Microelectronics Reliability. |
| MLA | Zheng ZS,et al."Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs".Microelectronics Reliability (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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