体硅 nFinFET 总剂量效应三维TCAD 仿真研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑中山 ; 黄云波; 李博; 杨玲; 罗家俊; 李彬鸿
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| 刊名 | 微电子学与计算机
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| 出版日期 | 2018-08-05 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18915]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑中山,黄云波,李博,等. 体硅 nFinFET 总剂量效应三维TCAD 仿真研究[J]. 微电子学与计算机,2018. |
| APA | 郑中山,黄云波,李博,杨玲,罗家俊,&李彬鸿.(2018).体硅 nFinFET 总剂量效应三维TCAD 仿真研究.微电子学与计算机. |
| MLA | 郑中山,et al."体硅 nFinFET 总剂量效应三维TCAD 仿真研究".微电子学与计算机 (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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