Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yang L(杨玲); Zhang QZ(张青竹) ; Huang YB(黄云波); Zheng ZS(郑中山); Li B(李博); Li BH(李彬鸿); Zhu HP(朱慧平); Yin HX(殷华湘); Luo JJ(罗家俊); Han ZS(韩郑生)
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| 刊名 | IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
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| 出版日期 | 2018-05-31 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18920]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang L,Zhang QZ,Huang YB,et al. Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation[J]. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE,2018. |
| APA | Yang L.,Zhang QZ.,Huang YB.,Zheng ZS.,Li B.,...&Han ZS.(2018).Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation.IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. |
| MLA | Yang L,et al."Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation".IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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