The total ionizing dose response of leading-edge FDSOI MOSFETs
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li BH(李彬鸿); Gao JT(高见头); Cai XW(蔡小五); Cui Y(崔岩); Wang J(王剑); Huang Y(黄杨) |
| 刊名 | Microelectronics Reliability
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| 出版日期 | 2018-09-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18921]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li BH,Gao JT,Cai XW,et al. The total ionizing dose response of leading-edge FDSOI MOSFETs[J]. Microelectronics Reliability,2018. |
| APA | 李彬鸿,高见头,蔡小五,崔岩,王剑,&黄杨.(2018).The total ionizing dose response of leading-edge FDSOI MOSFETs.Microelectronics Reliability. |
| MLA | 李彬鸿,et al."The total ionizing dose response of leading-edge FDSOI MOSFETs".Microelectronics Reliability (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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