DCIV 技术提取辐照前后 PDSOI 器件背栅界面态密度
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李晓静 ; 韩郑生; 罗家俊; 高林春; 曾传滨; 王芳芳
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| 刊名 | 微电子学与计算机
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| 出版日期 | 2018-07-05 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 英文摘要 | 直流电流电压（ＤＣＩＶ）技术受应用于智能剥离技术制造的ＰＤＳＯＩ中硅／二氧化硅界面质量的研究．本文通过将样品进行钴６０伽马射线辐照，用以监测ＰＤＳＯＩ器件背沟道界面在总剂量辐照前后的变化情况．本文给出了完整的测试原理、实验流程和结果分析，不仅提取了辐照前后ＰＤＳＯＩ器件的背界面陷阱密度以及它所在的等效能级，而且得到了界面陷阱能级密度在硅禁带中随能级变化的Ｕ型分布图（以禁带中央附近为主），为后续ＰＤＳＯＩ器件的抗辐照加固提供了参考． |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18922]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李晓静,韩郑生,罗家俊,等. DCIV 技术提取辐照前后 PDSOI 器件背栅界面态密度[J]. 微电子学与计算机,2018. |
| APA | 李晓静,韩郑生,罗家俊,高林春,曾传滨,&王芳芳.(2018).DCIV 技术提取辐照前后 PDSOI 器件背栅界面态密度.微电子学与计算机. |
| MLA | 李晓静,et al."DCIV 技术提取辐照前后 PDSOI 器件背栅界面态密度".微电子学与计算机 (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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