Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge
文献类型：期刊论文
| 作者 | Bi JS(毕津顺) ; Xu YN(徐彦楠); Li B(李博); Xi K(习凯); Wang HB(王海滨); Li M(李梅); Liu J(刘璟); Li J(李金); Ji LL(季兰龙); Luo L(骆丽)
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| 刊名 | CHIN. PHYS. LETT.
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| 出版日期 | 2018-04-02 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18949]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Bi JS,Xu YN,Li B,et al. Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge[J]. CHIN. PHYS. LETT.,2018. |
| APA | Bi JS.,Xu YN.,Li B.,Xi K.,Wang HB.,...&Liu M.(2018).Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge.CHIN. PHYS. LETT.. |
| MLA | Bi JS,et al."Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge".CHIN. PHYS. LETT. (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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