Back gate impact on SEU Characterization of a Double SOI 4k-bit SRAM
文献类型：会议论文
| 作者 | Gao JT(高见头)3 ; Li BH(李彬鸿)3; Huang Y(黄杨)3; Li B(李博)3; Zhao FZ(赵发展)3; Wang CL(王春林)3; An ZH(安志航)3; Cheng ZJ(程泽军)3; Han ZS(韩郑生)3; Luo JJ(罗家俊)3
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| 出版日期 | 2018-07-16 |
| 会议录 | IEEE Nuclear & Space Radiation Effects Conference
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| 文献子类 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19094]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 1.中国科学院现代物理研究所 2.中国原子能研究院国家辐射应用创新中心; 3.中国科学院微电子研究所; |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Gao JT,Li BH,Huang Y,et al. Back gate impact on SEU Characterization of a Double SOI 4k-bit SRAM[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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