Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique
文献类型：会议论文
| 作者 | Li YY(李洋洋)2; Li XJ(李晓静)2 ; Li B(李博)2; Gao LC(高林春)2; Yan WW(闫薇薇)2; Wang FF(王芳芳)2; Mei Bo1; Ceng CB(曾传滨)2; Han ZS(韩郑生)2; Luo JJ(罗家俊)2
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| 出版日期 | 2018-09-16 |
| 会议录 | Conference on Radiation Effects on Components and Systems （RADECS 2018）
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| 文献子类 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19095]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 1.中国空间技术研究院 2.中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li YY,Li XJ,Li B,et al. Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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