Comparison of 10 Mev Electron Beam Irradiation Effect on InGaN/GaN and AlGaN/GaN Multiple Quantum Well
文献类型：会议论文
| 作者 | Bo Mei ; Wang L(王磊); Qingxuan Li; Ningyang Liu; Ligang Song; Li B(李博); Li BH(李彬鸿); Liu MX(刘梦新); Huang Y(黄杨); Baoping zhang
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| 出版日期 | 2018-09-16 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19096]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Bo Mei,Wang L,Qingxuan Li,et al. Comparison of 10 Mev Electron Beam Irradiation Effect on InGaN/GaN and AlGaN/GaN Multiple Quantum Well[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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