The dependence of single event effect on heavy ion angular irradiation by Geant4 simulation
文献类型：会议论文
| 作者 | Li B(李博) ; Guo S(郭硕); Hao L(郝乐); Bi JS(毕津顺); Luo JJ(罗家俊); Han ZS(韩郑生)
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| 出版日期 | 2018-05-16 |
| 期号 | 201802131082 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19101]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li B,Guo S,Hao L,et al. The dependence of single event effect on heavy ion angular irradiation by Geant4 simulation[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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