Total dose effects of 28nm FD-SOI CMOS transistors
文献类型：会议论文
| 作者 | Kuang Y(匡勇); Bu JH(卜建辉) ; Li B(李博); Gao LC(高林春); Liang CP(梁春平); Han ZS(韩郑生); Luo JJ(罗家俊)
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| 出版日期 | 2018-10-15 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19103]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Kuang Y,Bu JH,Li B,et al. Total dose effects of 28nm FD-SOI CMOS transistors[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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