Conducted immunity of Bandgap in SOI technology after electrical stress aging
文献类型：会议论文
| 作者 | J.Wu; H.Zhang; H.Wang; L.Zheng; B.Li |
| 出版日期 | 2018-05-14 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19105]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | J.Wu,H.Zhang,H.Wang,et al. Conducted immunity of Bandgap in SOI technology after electrical stress aging[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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