Anti-Single-Event Technology Based on the Novel Hole-Current Diversionary Structure
文献类型：会议论文
| 作者 | Sun X(孙晓); Yu MF(俞敏锋); Zhang YF(张彦飞); Wang LX(王立新); Liu MX(刘梦新) |
| 出版日期 | 2018-10-31 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19108]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Sun X,Yu MF,Zhang YF,et al. Anti-Single-Event Technology Based on the Novel Hole-Current Diversionary Structure[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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