Research on Radiation-Induced Threshold Voltage Shifts in Power MOSFET Based on Charge-Pumping Method
文献类型：会议论文
| 作者 | Ding Y(丁艳); Wang LX(王立新); Zhang YF(张彦飞); Liu MX(刘梦新) |
| 出版日期 | 2018-10-31 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19109]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ding Y,Wang LX,Zhang YF,et al. Research on Radiation-Induced Threshold Voltage Shifts in Power MOSFET Based on Charge-Pumping Method[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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