A low leakage current Tunneling-FET based on SOI
文献类型：会议论文
| 作者 | Bu JH(卜建辉) ; Li DL(李多力); Xu GB(许高博); Cai XW(蔡小五); Kuang Y(匡勇); Han ZS(韩郑生); Luo JJ(罗家俊)
|
| 出版日期 | 2018-10-15 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19112]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Bu JH,Li DL,Xu GB,et al. A low leakage current Tunneling-FET based on SOI[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。