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Noise Immunity Improvement in High Voltage Gate Driver IC

文献类型:会议论文

作者Peng R(彭锐); Cai XW(蔡小五); Liu HN(刘海南); Luo JJ(罗家俊); Zhao HT(赵海涛); Tang HJ(汤红菊); Xu DS(许东升); Dongsheng Xu; Xiulong Wu
出版日期2018-10-31
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/19114]  
专题微电子研究所_硅器件与集成研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
Peng R,Cai XW,Liu HN,et al. Noise Immunity Improvement in High Voltage Gate Driver IC[C]. 见:.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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