Investigation of the relationship between the total dose effect and thickness of Al2O3 gate dielectric under gamma-ray irradiation
文献类型：会议论文
| 作者 | Li DL(李多力) ; Zhu HP(朱慧平); Chen X(陈曦); Zheng ZS(郑中山); Li B(李博); Gao JT(高见头); Luo JJ(罗家俊); Han ZS(韩郑生)
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| 出版日期 | 2018-10-31 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19116]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li DL,Zhu HP,Chen X,et al. Investigation of the relationship between the total dose effect and thickness of Al2O3 gate dielectric under gamma-ray irradiation[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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