Correlation between the Decoupling Capacitor Layouts and Single-Event-Upset Resistances of SRAM cells
文献类型：会议论文
| 作者 | Zhentao Li; Zheng ZS(郑中山) ; Zhao K(赵凯); Li B(李博); Luo JJ(罗家俊); Han ZS(韩郑生)
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| 出版日期 | 2018-10-31 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19117]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhentao Li,Zheng ZS,Zhao K,et al. Correlation between the Decoupling Capacitor Layouts and Single-Event-Upset Resistances of SRAM cells[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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