Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment
文献类型：会议论文
| 作者 | Li BH(李彬鸿) ; Huang Y(黄杨); J.Wu; Huang YB(黄云波); Li B(李博); Zhang QZ(张青竹); L.Yang; F.Wan; Luo JJ(罗家俊); Han ZS(韩郑生)
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| 出版日期 | 2018-10-01 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19122]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li BH,Huang Y,J.Wu,et al. Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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