The total ionizing dose response of leading-edge FDSOI MOSFETs
文献类型：会议论文
| 作者 | Wang J(王剑); Li BH(李彬鸿); Huang Y(黄杨); K.Zhao; F.Yu; Q.Zhang; Q.Guo; L.Xu; Gao JT(高见头); Cai XW(蔡小五) |
| 出版日期 | 2018-10-01 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19123]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang J,Li BH,Huang Y,et al. The total ionizing dose response of leading-edge FDSOI MOSFETs[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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