Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs
文献类型：会议论文
| 作者 | Li B(李博) ; Huang YB(黄云波); L.Yang; Zhang QZ(张青竹); Zheng ZS(郑中山); Li BH(李彬鸿); Zhu HP(朱慧平); Bu JH(卜建辉); H.X.Yin; Luo JJ(罗家俊)
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| 出版日期 | 2018-10-01 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19125]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li B,Huang YB,L.Yang,et al. Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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