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一种新型带隙基准电路结构

文献类型:专利

作者纪书江; 霍长兴; 刘璟
发表日期2018-07-20
专利号CN201710313141.2
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供一种新型带隙基准电路结构,包括偏置模块,正温度系数电流产生模块,负温度系数电流产生模块,电流加和模块,其中正温度系数电流产生模块包括:接入第一电流镜第一支路的第一晶体管、接入第一电流镜第二支路的第二晶体管、接入第一电流镜第一支路的第一NMOS管、以及接入第一电流镜第二支路的第二NMOS管;第一NMOS管的栅极与第一晶体管的发射极相连,第二NMOS管的栅极与第二晶体管的发射极相连;第二NMOS管的漏极连接到第二电流镜第一支路,第一NMOS管的漏极连接到第二电流镜第二支路,正温度系数电流从第二电流镜第二支路产生。本发明提供的新型带隙基准电路结构能够满足低电源电压、低输入输出、功耗低、占用版图小的需求。

公开日期2017-08-18
申请日期2017-05-05
语种中文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18624]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
纪书江,霍长兴,刘璟. 一种新型带隙基准电路结构. CN201710313141.2. 2018-07-20.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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