一种新型带隙基准电路结构
文献类型:专利
作者 | 纪书江; 霍长兴![]() ![]() |
发表日期 | 2018-07-20 |
专利号 | CN201710313141.2 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供一种新型带隙基准电路结构,包括偏置模块,正温度系数电流产生模块,负温度系数电流产生模块,电流加和模块,其中正温度系数电流产生模块包括:接入第一电流镜第一支路的第一晶体管、接入第一电流镜第二支路的第二晶体管、接入第一电流镜第一支路的第一NMOS管、以及接入第一电流镜第二支路的第二NMOS管;第一NMOS管的栅极与第一晶体管的发射极相连,第二NMOS管的栅极与第二晶体管的发射极相连;第二NMOS管的漏极连接到第二电流镜第一支路,第一NMOS管的漏极连接到第二电流镜第二支路,正温度系数电流从第二电流镜第二支路产生。本发明提供的新型带隙基准电路结构能够满足低电源电压、低输入输出、功耗低、占用版图小的需求。 |
公开日期 | 2017-08-18 |
申请日期 | 2017-05-05 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18624] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 纪书江,霍长兴,刘璟. 一种新型带隙基准电路结构. CN201710313141.2. 2018-07-20. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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