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一种新型带隙基准电路结构 专利  OAI收割
专利号: CN201710313141.2, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2017-08-18
作者:  
纪书江;  霍长兴;  刘璟
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基于smic-28nm极低功耗的带隙基准电路的设计和实现 学位论文  OAI收割
: 中国科学院大学, 2017
作者:  
纪书江
  |  收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2017/08/22