X波段AlGaN/GaN HEMT高微波功率特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 魏珂; 彭铭曾; 郑英奎; 陈晓娟 |
| 刊名 | 中国科学 物理学 力学 天文学
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| 出版日期 | 2011-02-25 |
| 公开日期 | 2012-11-15 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/9343]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 通讯作者 | 彭铭曾 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏珂,彭铭曾,郑英奎,等. X波段AlGaN/GaN HEMT高微波功率特性研究[J]. 中国科学 物理学 力学 天文学,2011. |
| APA | 魏珂,彭铭曾,郑英奎,&陈晓娟.(2011).X波段AlGaN/GaN HEMT高微波功率特性研究.中国科学 物理学 力学 天文学. |
| MLA | 魏珂,et al."X波段AlGaN/GaN HEMT高微波功率特性研究".中国科学 物理学 力学 天文学 (2011). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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