本发明涉及通过进行GaN/AlGaN HEMT稳态直流功率老化实验，对器件进行初步的可靠性筛选的方法，该方法首先采用显微红外的测量方法，获得峰值结温同耗散直流功率的关系，从而确定器件稳态老化条件（器件老化时的工作电压，工作电流以及所处基板的温度，根据器件的具体特性在一定的直流稳态功率老化的条件下对器件进行直流功率老炼。器件在最初老炼时性能参数不稳定，经过一定时间老化后趋于稳定。对于一致性较好的器件，器件参数趋于稳定时出现的时间大致相同，通过直流稳态功率老化确定出这一之间，该时间确定为器件早期失效的时间。对于同一批次的器件，采用该方法对器件进行预筛选，如果器件在经过早期失效期后参数仍然不能趋于稳定，则该种器件应该进行剔除。器件的早期失效期一般在80－100小时内，采用该方法进行GaN器件的预筛选，既实现了对器件的一个老化过程使器件参数趋于稳定，同时也对器件在较短的时间内进行筛选的过程，避免了长时间的老化，节省了人力和物力。