基于Agilent VEE的GaN HEMT内匹配微波测试系统
文献类型：期刊论文
| 作者 | 欧阳思华; 戈勤; 郑英奎 |
| 刊名 | 第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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| 出版日期 | 2012-11-16 |
| 英文摘要 | GaN HEMT 微波内匹配大功率器件, 因其具有体积小、重量轻、输出功率大、工作温度高等方面的优势，将在各类通信、雷达、导航等设备中得到了广泛的应用，特别是在航空、航天、相控阵雷达等特殊领域要求整机小型化方面, 具有较大的应用前景。然而，在内匹配测试过程中涉及到的步骤繁琐，牵连到的设备众多且需要实时记录各类数据，致使其测试严重的滞后整个流程。因此，该文章描述了一种自行研制的自动化的，针对于GaN HEMT内匹配的微波测试系统。 |
| 公开日期 | 2013-11-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/11553]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 通讯作者 | 欧阳思华 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 欧阳思华,戈勤,郑英奎. 基于Agilent VEE的GaN HEMT内匹配微波测试系统[J]. 第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议,2012. |
| APA | 欧阳思华,戈勤,&郑英奎.(2012).基于Agilent VEE的GaN HEMT内匹配微波测试系统.第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. |
| MLA | 欧阳思华,et al."基于Agilent VEE的GaN HEMT内匹配微波测试系统".第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 (2012). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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